毒性氣體
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毒性氣體
毒性氣體
詳細介紹:
‧急性影響：由試驗可得知，一些特殊氣體由於其反應性很強，對動物(含人類)的呼吸道、黏膜、皮膚等功能有強烈影響。
氣體名稱 | 半數致死濃度( ppm) | 時間 | 試用動物 |
AsH3 | 78 | 10 min | 小鼠(Mouse) |
B2 H6 | 29 | 240 min | 大鼠(Rat) |
NF3 | 6700 | 60 min | 小鼠(Mouse) |
PH3 | 11 | 240 min | 大鼠(Rat) |
SiH4 | 9600 | 240 min | 大鼠(Rat) |
BF3 | 390 | 240 min | 大鼠(Rat) |
半導體製程特殊氣體之急毒性
‧慢性影響：半導體用之特殊材料氣體皆為少見，對於其危害性亦不甚了解，尤其是在
長期接觸後之疑似致癌性迄今並無一定論。
‧毒性影響：容許濃度係判斷毒性氣體之危險性之強弱基準，一般以ACGIH(American
Conference of Governmental Industrial Hycienist ，美國工業衛生師協會)所發表
之TLV-TWA(ThressholdLimit Value-Time WeightedAverage ：勞工每天8 小時，一 週40 小時之連續作業，尚不致對人體有太大影響之有害物質容許濃度)。容許濃度若 越低，毒性越大。
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自燃性氣體
自燃性氣體有些氣體一與空氣相混，即使沒有火源也會自然起火，此稱為自燃性氣體 ，一般其起火點在常溫以下，而自燃性的特殊氣體包括：SiH4 、PH3 、 B2 H6 。
易燃性氣體
易燃性氣體 • 有些材料氣體因洩漏或混入時、其本身之濃度只要再某一範圍內(如對空氣，稱之為爆炸範圍)，只要一有火源，氣體會因為混合而爆炸燃燒 ，此稱為該氣體之爆炸範圍，亦即爆炸範圍越低或是爆炸範圍越大危險 性就越高。 氣體名稱 爆炸範圍( Volve) SiH4 1.35%~100% SiH2 4.1%~98.8% PH3 1.32%~100% AsH3 5.1%~78% B2 H6 0.84%~93.3% NH3 15.5%~27% 半導體製程特殊氣體之爆炸範圍
Specialty Gases
特殊氣體是一翻譯自國外之氣體類別，在國內法規上並無此名稱，但在企業界，由於其許多技術與原料均來自國外，故亦沿用此名稱，其所包含之氣體均是一般較不常見，或等級較高之氣體，尤以電子廠使用者居多。 惰性氣體：He 、SF6 、CO2 、CF4 、C2 F6 、C4 F8 、CH3F 易燃性氣體：SiH4 、B2 H6 、PH3 、SiH2 Cl2 、NH3 、CH4 、CO 腐蝕性氣體：Cl2 、F2 、HCl 、HBr 、WF6 、NH3 、 NF3 、BCl3 、SiF4 、AsH3 、ClF3 、N2 O 、SiCl4、AsCl3 、BF3 【以上只是概略的分法，實際上有些氣體是兼具燃燒性 及腐蝕性的。除了是屬於惰性氣體之外，幾乎都是毒 性氣體。而像SiH4、B2H6、PH3這些則屬於自燃性氣體 (Pyropholic)，即使是在很低的濃度下，一接觸到大氣，立刻會產生燃燒現象。】 半導體製程使用之特殊氣體 製程名稱 使用氣體 氧化(Oxidation) SiH4 、Si2 H6 、ClF3 、PH3 、SiH2 Cl 擴散(Diffusion) AsH3 、AsCl3 、PH3 、PCl3 、POCl3 、B2 H6 、 BCl3 、BBr3 、SiCl4 、SiH2 Cl2 、NH3 磊晶(Epitaxy) SiH4 、SiHCl3 、SiH2 Cl2 、SiCl4 、AsH3 、AsCl3 、 PH3 、B3 H6 化學氣相沈積 (Chemical Vapor Deposition) SiH4 、SiHCl3 、SiH2 Cl2 、NF3 、CF4 、CHF3 、 C2 F6 、PH3 、B2 H6 、NH3 、SiF4 、He 濺鍍(Sputtering) NH3 離子植入(Implant) H3 、PF3 、PF5 、SiF4 、AsH3 、B2 H6 、BF3 、 BCl3 蝕刻(Etching) HF 、HCl 、HBr 、CF4 、CHF3 、CClF3 、PH3 、 B2 H6 、SiH4 、C3 F8 、SiF4 、SF6 、CBrF3 、C2 ClF5 、 Cl2 、PH5 、CClF2 、C2 ClF4 、CCl4 、C3 H8 、 CH4 NF3 去光阻(Dephotoresist) CF4
特殊氣體
特殊氣體是一翻譯自國外之氣體類別，在國內法規上並無此名稱，但在企業界，由於其許多技術與原料均來自國外，故亦沿用此名稱，其所包含之氣體均是一般較不常見，或等級較高之氣體，尤以電子廠使用者居多。 惰性氣體：He 、SF6 、CO2 、CF4 、C2 F6 、C4 F8 、CH3F 易燃性氣體：SiH4 、B2 H6 、PH3 、SiH2 Cl2 、NH3 、CH4 、CO 腐蝕性氣體：Cl2 、F2 、HCl 、HBr 、WF6 、NH3 、 NF3 、BCl3 、SiF4 、AsH3 、ClF3 、N2 O 、SiCl4、AsCl3 、BF3 【以上只是概略的分法，實際上有些氣體是兼具燃燒性 及腐蝕性的。除了是屬於惰性氣體之外，幾乎都是毒 性氣體。而像SiH4、B2H6、PH3這些則屬於自燃性氣體 (Pyropholic)，即使是在很低的濃度下，一接觸到大氣，立刻會產生燃燒現象。】 半導體製程使用之特殊氣體 製程名稱 使用氣體 氧化(Oxidation) SiH4 、Si2 H6 、ClF3 、PH3 、SiH2 Cl 擴散(Diffusion) AsH3 、AsCl3 、PH3 、PCl3 、POCl3 、B2 H6 、 BCl3 、BBr3 、SiCl4 、SiH2 Cl2 、NH3 磊晶(Epitaxy) SiH4 、SiHCl3 、SiH2 Cl2 、SiCl4 、AsH3 、AsCl3 、 PH3 、B3 H6 化學氣相沈積 (Chemical Vapor Deposition) SiH4 、SiHCl3 、SiH2 Cl2 、NF3 、CF4 、CHF3 、 C2 F6 、PH3 、B2 H6 、NH3 、SiF4 、He 濺鍍(Sputtering) NH3 離子植入(Implant) H3 、PF3 、PF5 、SiF4 、AsH3 、B2 H6 、BF3 、 BCl3 蝕刻(Etching) HF 、HCl 、HBr 、CF4 、CHF3 、CClF3 、PH3 、 B2 H6 、SiH4 、C3 F8 、SiF4 、SF6 、CBrF3 、C2 ClF5 、 Cl2 、PH5 、CClF2 、C2 ClF4 、CCl4 、C3 H8 、 CH4 NF3 去光阻(Dephotoresist) CF4
窒息性氣體
如He、CO2、CF4、C2 F6 等氣體，無臭無味，如大量洩出而相對致使空氣中含氧量(一般為21%)減少至16%以下時，即有頭痛與噁心現象。當氧氣含量低至10%時，將使人陷入意識不清狀態，6%以下瞬間昏倒，無法呼吸，六分鐘內即死亡。我國勞安法中並規定於含氧量未達18%的作業，即 為缺氧作業。
腐蝕性氣體
有些材料氣體與水分一作用，即水解後產生HCl或HF等酸性化合物，對人體(如含水之眼睛、鼻子、皮膚、呼吸系統等)及設備(如管或閥)具有腐蝕作用，而腐蝕性氣體有下列：氯系：HCl、HBr、Cl2、SiH2 Cl2、SiCl4、BCl3、AsCl3 氟系：BF3、SiF4、WF6、ClF3、F2、NF3 溴系：HBr其他 ：NH3、AsH3、N2 O
