自燃性氣體
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自燃性氣體
自燃性氣體
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自燃性氣體
有些氣體一與空氣相混，即使沒有火源也會自然起火，此稱為自燃性氣體 ，一般其起火點在常溫以下，而自燃性的特殊氣體包括：SiH4 、PH3 、 B2 H6 。
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易燃性氣體
易燃性氣體 • 有些材料氣體因洩漏或混入時、其本身之濃度只要再某一範圍內(如對空氣，稱之為爆炸範圍)，只要一有火源，氣體會因為混合而爆炸燃燒 ，此稱為該氣體之爆炸範圍，亦即爆炸範圍越低或是爆炸範圍越大危險 性就越高。 氣體名稱 爆炸範圍( Volve) SiH4 1.35%~100% SiH2 4.1%~98.8% PH3 1.32%~100% AsH3 5.1%~78% B2 H6 0.84%~93.3% NH3 15.5%~27% 半導體製程特殊氣體之爆炸範圍
Specialty Gases
特殊氣體是一翻譯自國外之氣體類別，在國內法規上並無此名稱，但在企業界，由於其許多技術與原料均來自國外，故亦沿用此名稱，其所包含之氣體均是一般較不常見，或等級較高之氣體，尤以電子廠使用者居多。 惰性氣體：He 、SF6 、CO2 、CF4 、C2 F6 、C4 F8 、CH3F 易燃性氣體：SiH4 、B2 H6 、PH3 、SiH2 Cl2 、NH3 、CH4 、CO 腐蝕性氣體：Cl2 、F2 、HCl 、HBr 、WF6 、NH3 、 NF3 、BCl3 、SiF4 、AsH3 、ClF3 、N2 O 、SiCl4、AsCl3 、BF3 【以上只是概略的分法，實際上有些氣體是兼具燃燒性 及腐蝕性的。除了是屬於惰性氣體之外，幾乎都是毒 性氣體。而像SiH4、B2H6、PH3這些則屬於自燃性氣體 (Pyropholic)，即使是在很低的濃度下，一接觸到大氣，立刻會產生燃燒現象。】 半導體製程使用之特殊氣體 製程名稱 使用氣體 氧化(Oxidation) SiH4 、Si2 H6 、ClF3 、PH3 、SiH2 Cl 擴散(Diffusion) AsH3 、AsCl3 、PH3 、PCl3 、POCl3 、B2 H6 、 BCl3 、BBr3 、SiCl4 、SiH2 Cl2 、NH3 磊晶(Epitaxy) SiH4 、SiHCl3 、SiH2 Cl2 、SiCl4 、AsH3 、AsCl3 、 PH3 、B3 H6 化學氣相沈積 (Chemical Vapor Deposition) SiH4 、SiHCl3 、SiH2 Cl2 、NF3 、CF4 、CHF3 、 C2 F6 、PH3 、B2 H6 、NH3 、SiF4 、He 濺鍍(Sputtering) NH3 離子植入(Implant) H3 、PF3 、PF5 、SiF4 、AsH3 、B2 H6 、BF3 、 BCl3 蝕刻(Etching) HF 、HCl 、HBr 、CF4 、CHF3 、CClF3 、PH3 、 B2 H6 、SiH4 、C3 F8 、SiF4 、SF6 、CBrF3 、C2 ClF5 、 Cl2 、PH5 、CClF2 、C2 ClF4 、CCl4 、C3 H8 、 CH4 NF3 去光阻(Dephotoresist) CF4
特殊氣體
特殊氣體是一翻譯自國外之氣體類別，在國內法規上並無此名稱，但在企業界，由於其許多技術與原料均來自國外，故亦沿用此名稱，其所包含之氣體均是一般較不常見，或等級較高之氣體，尤以電子廠使用者居多。 惰性氣體：He 、SF6 、CO2 、CF4 、C2 F6 、C4 F8 、CH3F 易燃性氣體：SiH4 、B2 H6 、PH3 、SiH2 Cl2 、NH3 、CH4 、CO 腐蝕性氣體：Cl2 、F2 、HCl 、HBr 、WF6 、NH3 、 NF3 、BCl3 、SiF4 、AsH3 、ClF3 、N2 O 、SiCl4、AsCl3 、BF3 【以上只是概略的分法，實際上有些氣體是兼具燃燒性 及腐蝕性的。除了是屬於惰性氣體之外，幾乎都是毒 性氣體。而像SiH4、B2H6、PH3這些則屬於自燃性氣體 (Pyropholic)，即使是在很低的濃度下，一接觸到大氣，立刻會產生燃燒現象。】 半導體製程使用之特殊氣體 製程名稱 使用氣體 氧化(Oxidation) SiH4 、Si2 H6 、ClF3 、PH3 、SiH2 Cl 擴散(Diffusion) AsH3 、AsCl3 、PH3 、PCl3 、POCl3 、B2 H6 、 BCl3 、BBr3 、SiCl4 、SiH2 Cl2 、NH3 磊晶(Epitaxy) SiH4 、SiHCl3 、SiH2 Cl2 、SiCl4 、AsH3 、AsCl3 、 PH3 、B3 H6 化學氣相沈積 (Chemical Vapor Deposition) SiH4 、SiHCl3 、SiH2 Cl2 、NF3 、CF4 、CHF3 、 C2 F6 、PH3 、B2 H6 、NH3 、SiF4 、He 濺鍍(Sputtering) NH3 離子植入(Implant) H3 、PF3 、PF5 、SiF4 、AsH3 、B2 H6 、BF3 、 BCl3 蝕刻(Etching) HF 、HCl 、HBr 、CF4 、CHF3 、CClF3 、PH3 、 B2 H6 、SiH4 、C3 F8 、SiF4 、SF6 、CBrF3 、C2 ClF5 、 Cl2 、PH5 、CClF2 、C2 ClF4 、CCl4 、C3 H8 、 CH4 NF3 去光阻(Dephotoresist) CF4
窒息性氣體
如He、CO2、CF4、C2 F6 等氣體，無臭無味，如大量洩出而相對致使空氣中含氧量(一般為21%)減少至16%以下時，即有頭痛與噁心現象。當氧氣含量低至10%時，將使人陷入意識不清狀態，6%以下瞬間昏倒，無法呼吸，六分鐘內即死亡。我國勞安法中並規定於含氧量未達18%的作業，即 為缺氧作業。
腐蝕性氣體
有些材料氣體與水分一作用，即水解後產生HCl或HF等酸性化合物，對人體(如含水之眼睛、鼻子、皮膚、呼吸系統等)及設備(如管或閥)具有腐蝕作用，而腐蝕性氣體有下列：氯系：HCl、HBr、Cl2、SiH2 Cl2、SiCl4、BCl3、AsCl3 氟系：BF3、SiF4、WF6、ClF3、F2、NF3 溴系：HBr其他 ：NH3、AsH3、N2 O
毒性氣體
‧急性影響：由試驗可得知，一些特殊氣體由於其反應性很強，對動物(含人類)的呼吸道、黏膜、皮膚等功能有強烈影響。 氣體名稱 半數致死濃度( ppm) 時間 試用動物 AsH3 78 10 min 小鼠(Mouse) B2 H6 29 240 min 大鼠(Rat) NF3 6700 60 min 小鼠(Mouse) PH3 11 240 min 大鼠(Rat) SiH4 9600 240 min 大鼠(Rat) BF3 390 240 min 大鼠(Rat) 半導體製程特殊氣體之急毒性 ‧慢性影響：半導體用之特殊材料氣體皆為少見，對於其危害性亦不甚了解，尤其是在長期接觸後之疑似致癌性迄今並無一定論。‧毒性影響：容許濃度係判斷毒性氣體之危險性之強弱基準，一般以ACGIH(American Conference of Governmental Industrial Hycienist ，美國工業衛生師協會)所發表之TLV-TWA(ThressholdLimit Value-Time WeightedAverage ：勞工每天8 小時，一 週40 小時之連續作業，尚不致對人體有太大影響之有害物質容許濃度)。容許濃度若 越低，毒性越大。
